鍍膜介電常數(shù)測定儀觸發(fā)方式 :內(nèi)部, 手動, 外部, 總線

內(nèi)部直流偏 :電壓模式-5V ～ +5V, ±(10%+10mV), 1mV步進

置源 :電流模式（內(nèi)阻為50Ω）-100mA ～ +100mA, ±(10%+0.2mA),20uA步進

比較器功能:10檔分選及計數(shù)功能

顯示器;320×240點陣圖形LCD顯示

存儲器 :可保存20組儀器設(shè)定值

USB DEVICE( USBTMC and USBCDC support) USB HOST(FAT16 and FAT32 support)

接口 :LAN(LXI class C support) RS232C HANDLERGPIB（選件）

工作頻率范圍：20Hz～2MHz 數(shù)字合成，

精度：±0.02%

電容測量范圍：0.00001pF～9.99999F 六位數(shù)顯

電容測量基本誤差：±0.05%

損耗因素D值范圍：0.00001～9.99999 六位數(shù)顯

介電常數(shù)測試裝置（含保護電極）： 精密介電常數(shù)測試裝置提供測試電極，能對直徑φ10～56mm，厚度<10mm的試樣精確測量。

它針對不同試樣可設(shè)置為接觸電極法，薄膜電極法和非接觸法三種，以適應軟材料，表面不平整和薄膜試樣測試。

微分頭分辨率：10μm

最高耐壓：±42Vp（AC+DC）

電纜長度設(shè)置：1m 

鍍膜介電常數(shù)測定儀介電常數(shù)測試儀由高頻阻抗分析儀、測試裝置，標準介質(zhì)樣品組成，能對薄膜、各種板材及液態(tài)絕緣材料進行高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。     

列介電常數(shù)測試儀工作頻率范圍是20Hz～5MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對絕緣材料的相對介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測試。

設(shè)備中測試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過公式計算得到。

1 特點：                            
◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復性。

◎ 介電常數(shù)測量范圍可達1～105

2 主要技術(shù)指標：

2.1 ε和D性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率20Hz～1MHz的ε和D變化的測試。

2.1.2 ε和D測量范圍：ε：1～105，D：0.1～0.00005，

2.1.3 ε和D測量精度（10kHz）：ε：±2% ，  D：±5%±0.0001。

介質(zhì)材料測試裝置提供四種不同直徑測試電極，

能對直徑φ10～56mm，厚度<10mm的試樣精確測量。它針對不同試樣

可設(shè)置為接觸電極法，薄膜電極法和

非接觸法三種，以適應軟材料，表面不平整和薄膜試樣測試。

2.4.1 微分頭分辨率：10μm

2.4.2 最高耐壓：±42Vp（AC+DC）

2.4.3 電纜長度設(shè)置：1m

2.4.4 最高使用頻率：30MHz 

B．自然頻率法（此法可獲得較準確的結(jié)果） a．將被測線圈接在“Lx"接線柱上；

b．將微調(diào)電容器度盤調(diào)至零，調(diào)諧電容器度盤調(diào)到最大電容值C1； c．調(diào)訊號源頻率，使回路諧振，該頻率為f1；

d．取下被測線圈，換上一個能在調(diào)諧電容器調(diào)節(jié)范圍內(nèi)和十倍于f1頻率諧振的電感； e．訊號源調(diào)到10 f1位置，調(diào)節(jié)調(diào)諧電容器到諧振點；

f. 將被測線圈接在“Cx"兩端，調(diào)節(jié)調(diào)諧電容器達諧振，此時視電容讀數(shù)是增加還是減小。若增加，則應將振蕩器頻率調(diào)高些，若減小，則頻率調(diào)低些；

g. 再取下被測線圈，調(diào)節(jié)主調(diào)電容達到諧振；

h. 重復步驟“f"、“g"直到某一頻率，被測線圈接上“Cx"兩端和不接上均不改變諧振點，這一頻率即為被測線圈的自然諧振頻率f2，它的C0數(shù)值為：